本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

对外投资概述

武汉高德红外股份有限公司（以下简称“公司”）控股子公司武汉高芯科技有限公司（以下简称“高芯科技”）于2017年8月23日在湖北省武汉市签署了《武汉光谷信息光电子创新中心有限公司增资协议书》（以下简称“增资协议”），通过增资的形式出资1000万元入股武汉光谷信息光电子创新中心有限公司（以下简称“创新中心”），增资后高芯科技持有创新中心股权比例为6.25%。高芯科技已按照创新中心股东方武汉光迅科技股份有限公司（以下简称“光迅科技”）相关公告要求，参与北京产权交易所增资意向申报，并在截止日前足额缴纳了交易保证金，符合各项增资条件。

根据公司《章程》、《深圳证券交易所股票上市规则》等相关规定，本次对外投资事项已经董事长审批通过，无需董事会和股东大会审议。

本次对外投资的资金来源于高芯科技自有资金，不涉及关联交易，不构成重大资产重组。

交易对手方的基本情况

本次交易对手为创新中心股东光迅科技。

公司名称：武汉光迅科技股份有限公司

法定代表人：余少华

住所：湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

企业类型：股份有限公司（上市公司）

注册资本：人民币6.289亿元

经营范围：信息科技领域光、电器件技术及产品的研制、生产、销售和相关技术服务；信息系统的工程设计、施工、系统集成；信息咨询服务；计算机软、硬件研制、开发、系统集成；网络及数据通信产品的开发、生产、销售；软件开发与技术服务；安全技术防范产品的生产、销售；货物进出口、技术进出口、代理进出口。

上述交易对方与公司及公司董事、监事、高级管理人员均不存在关联关系。

投资主体的基本情况

公司名称：武汉高芯科技有限公司

住所：武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼

法定代表人：黄立

注册资本：人民币33,800万元

经营范围：集成电路产品及传感器的研发、设计、生产、技术服务、销售；仪器仪表、电子产品、电器机械及器材、自动控制设备的研制、开发、技术服务；经营货物进出口、代理进出口、技术进出口业务(不含国家禁止或限制进出口的货物或技术)。

投资标的的基本情况

出资方式：用子公司自有资金进行现金增资

创新中心的基本情况

公司名称：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司

法定代表人：毛浩

住所：武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层

经营范围：信息科技领域光电子器件及其他电子器件技术研发、技术咨询、技术服务、技术转让、制造及批发兼零售；货物进出口、技术进出口、代理进出口（不含国家禁止或限制进出口的货物或技术）。

创新中心于2017年1月6日完成了工商注册登记手续，由光迅科技以货币出资6,000万元（占股比100%）设立，为有效整合国内外各类创新资源，建立联合开发、优势互补、成果共享、风险共担的“政产学研用资孵”创新机制，打造国家级制造业创新中心平台。

截至2017年6月30日的财务数据为：总资产60,022,000元，净资产60,022,000元，净利润22,000元(上述数据未经审计）。

增资前的股权结构

4、增资后的股权结构：

增资协议的主要内容

本协议各签署方

甲方：武汉光迅科技股份有限公司

法定代表人：余少华

住所：湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

乙方：

西安中科光机投资控股有限公司

法定代表人：曹慧涛

住所：陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号

烽火通信科技股份有限公司

法定代表人：鲁国庆

住所：湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

江苏亨通光电股份有限公司

法定代表人：尹纪成

住所：江苏省吴江区七都镇亨通大道88号

武汉高芯科技有限公司

法定代表人：黄立

住所：湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼

苏州天孚光通信股份有限公司

法定代表人：邹支农

住所：苏州高新区银珠路17号

北京祥德投资管理有限公司

法定代表人：刘秉军

住所：北京市朝阳区建国门外大街甲6号C座29层2910室

陕西光电子集成电路先导技术研究院有限责任公司

法定代表人：曹慧涛

住所：陕西省西安市高新区上林苑一路15号

武汉光电工业技术研究院有限公司

法定代表人：韩道

住所：湖北省武汉东湖新技术开发区高新大道999号

协议主要内容

乙方共以货币出资人民币10000万元，全部用于增加创新中心注册资本。创新中心原有注册资本及实收资本为人民币6000万元，本次增资完成后，注册资本为人民币16000万元。

增资完成后，创新中心设董事会，由11名董事组成，高芯科技有权提名1名董事。

违约条款：若本协议任何一方违反本协议的相关约定，导致本协议目的无法实现，则违约方应向守约方支付出资额10％的违约金。违约金不足以弥补守约方的损失时，违约方仍需赔偿给守约方造成的损失。

生效条件：本协议经双方签字盖章之日起生效。

对外投资的目的、存在的风险和对公司的影响

本次对外投资的目的和对公司的影响

公司积极响应国家号召，推进实施制造强国战略，凭借高芯科技在红外核心器件的领先优势增资创新中心，投资参与由光迅科技牵头组建“信息光电子制造业创新中心”。增资完成后，创新中心将依托武汉中国光谷光电子产业创新实力和产业集群优势，通过整合产业链优势资源，汇聚国内外高端人才，面向制造业，围绕新一代信息光电子技术领域“核心光电子芯片和器件”创新发展的重大关键和共性技术，聚焦光通信、促进科技成果转化，创建基于研发、成果转化、行业服务的“一站式”创新平台，建成国家级信息光电子制造业创新中心。

高芯科技将充分发挥红外行业的领先优势，多层次参与信息光电子领域，提供设施、资金、研发平台等一系列服务，与平台内的其他公司在技术水平、工艺能力、商业化能力、人才建设方面实现优势互补、彼此协同，积极与国家大型项目做好融合对接。

存在的风险

本次投资是公司充分考虑创新中心的经营发展情况和发展战略后确定的，投资所需资金为子公司自有资金，投资金额较小，不会对公司业绩及经营状况产生重大影响。本次投资尚需最终获得北京产权交易所出具的增资交易凭证，存在不确定性风险。

公司将根据后续进展情况履行相关程序和信息披露义务，敬请广大投资者谨慎决策，注意投资风险。

备查文件

《武汉光谷信息光电子创新中心有限公司增资协议书》

特此公告。

武汉高德红外股份有限公司

                                                董事会

二〇一七年八月二十四日